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LMUN2216LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN2216LT1G product

LMUN2216LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNPre-BiasedSOT-23

Der LMUN2216LT1G ist ein NPN-Transistor mit integriertem Basiswiderstand (4,7 kΩ) im SOT-23-Gehäuse.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100 mA oder 246 mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass der 4,7-kΩ-Widerstand mit Ihrem Steuersignal kompatibel ist.

Wichtige Specs

R1
4,7 kΩ
VCEO
50 V
IC
100 mA
hFE
160

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenSchnittstellen

Datenblatt

dd1052c7a30e491f8d69650b497d47f4.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN2216LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein digitaler NPN-Transistor mit integriertem 4,7-kΩ-Basiswiderstand zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns.