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LMUN2235LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN2235LT1G product

LMUN2235LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNPre-BiasedSOT-23Digitaltransistor

Der LMUN2235LT1G ist ein NPN-Transistor mit integrierten 2,2kΩ- und 47kΩ-Widerständen, der speziell für platzsparende digitale Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Digitale Schaltungen
  • Platzkritische Designs
  • Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 246mW
  • Anwendungen mit abweichenden Widerstandsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Erforderlicher Steuerstrom

Wichtige Specs

R1
2,2 kΩ
R2
47 kΩ
VCEO
50 V
IC
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN2235LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Oberflächenmontage-Transistor mit einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk, der diskrete Bauteilkombinationen ersetzt.