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LMUN5211DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5211DW1T1G product

LMUN5211DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual NPNBRTSOT-36310k/10k

Der LMUN5211DW1T1G ist ein dualer NPN-Bias-Resistor-Transistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse, der diskrete Transistoren und externe Bias-Netzwerke ersetzt.

Ideal für

  • Platzsparende digitale Schaltungen
  • Low-Power-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA
  • Anwendungen mit speziellen Bias-Verhältnissen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Widerstandsverhältnis

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ
R2
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

poYBAGJ5AMeAJsfCAAJc5BsJpSA750.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5211DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales NPN-Transistorbauteil mit integrierten Bias-Widerständen (BRT) in einem einzigen SOT-363-Gehäuse, das das Schaltungsdesign durch den Wegfall externer Bias-Komponenten vereinfacht.