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LMUN5213DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5213DW1T1G product

LMUN5213DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual NPNBias-WiderstandstransistorAEC-Q101

Der LMUN5213DW1T1G ist ein dualer NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT) mit integrierten 47kΩ-Widerständen, ideal für platzsparende Automobil- und allgemeine Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Automobil-Schaltanwendungen
  • Signalkonditionierung
  • Platzkritische Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei Betrieb beider Transistoren

Wichtige Specs

Konfiguration
Dual NPN
Widerstand R1/R2
47kΩ / 47kΩ
VCEO
50V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemein

Datenblatt

3e34dd3745f2337fc9d4bc7cd365a92e.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5213DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Silizium-Oberflächenmontage-Transistor mit einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk im SC88 (SOT-363) Gehäuse.