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LMUN5214DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5214DW1T1G product

LMUN5214DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual NPNBias-WiderstandstransistorSOT-363

Der LMUN5214DW1T1G ist ein dualer NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse mit integrierten 10k/47k-Widerständen.

Ideal für

  • Platzsparende digitale Schaltanwendungen
  • Low-Power-Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 100 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei gleichzeitiger Nutzung beider Transistoren

Wichtige Specs

R1
10 kOhm
R2
47 kOhm
VCEO
50 V
IC
100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenUnterhaltungselektronik

Datenblatt

279495d349d314933de0da3b1e096c97.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5214DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Transistor mit integriertem monolithischem Bias-Widerstandsnetzwerk, der diskrete Komponenten in platzkritischen SMD-Anwendungen ersetzt.