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LMUN5215DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5215DW1T1G product

LMUN5215DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual NPNBRTSOT-363

Der LMUN5215DW1T1G ist ein dualer NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse, der zur Integration von Bias-Netzwerken und zur Platzersparnis auf der Leiterplatte entwickelt wurde.

Ideal für

  • Platzkritische Designs
  • Automobilelektronik
  • Allgemeines Schalten

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Widerstandswerte (R1=10k, R2=∞)

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeines Schalten

Datenblatt

89201b94a0bf12425f1e56727fdb5a4f_2212131909_LRC-LMUN5215DW1T1G_C5273162.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5215DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Transistor mit integriertem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk in einem kompakten SOT-363-Gehäuse.