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LMUN5216DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5216DW1T1G product

LMUN5216DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual NPNPre-biasedSOT-363

Der LMUN5216DW1T1G ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Basiswiderständen im SOT-363-Gehäuse.

Ideal für

  • Automobil-Steuerungen
  • Platzsparende Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei gleichzeitiger Nutzung beider Transistoren

Wichtige Specs

R1 Widerstand
4,7 kΩ
VCEO
50 V
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilAllgemeine Schaltungen

Datenblatt

e6883bd0f127df34f92b7ed35f580b09_2212131909_LRC-LMUN5216DW1T1G_C5273163.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5216DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer NPN-Bias-Resistor-Transistor (BRT), der zwei Transistoren und deren Vorspannungsnetzwerk in einem kompakten SOT-363-Gehäuse vereint.