ProjektePreiseInsights

LMUN5232DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5232DW1T1G product

LMUN5232DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual NPNPre-biasedSOT-363

Der LMUN5232DW1T1G ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (4,7kΩ/4,7kΩ) im kompakten SOT-363-Gehäuse.

Ideal für

  • Platzsparende digitale Schaltanwendungen
  • Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA
  • Anwendungen mit kundenspezifischen Bias-Netzwerken

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Eingangsspannungsbereich

Wichtige Specs

Widerstand R1
4,7 kΩ
Widerstand R2
4,7 kΩ
VCEO
50 V
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine SchaltungenUnterhaltungselektronik

Datenblatt

883138ac2fb7c4e86995af0f0ae53592_2212131909_LRC-LMUN5232DW1T1G_C5273166.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5232DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT), der zwei Transistoren und die zugehörigen Bias-Widerstände in einem einzigen SOT-363-Gehäuse vereint.