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LMUN5235DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5235DW1T1G product

LMUN5235DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual NPNPre-biasedSOT-363

Der LMUN5235DW1T1G ist ein dualer NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (2,2kΩ/47kΩ) im SOT-363-Gehäuse.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltanwendungen
  • Digitale Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Widerstandswerte für die Basis-Ansteuerung

Wichtige Specs

R1
2,2 kΩ
R2
47 kΩ
VCEO
50 V
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenAutomobil

Datenblatt

254fffa192c487ca970c681ee4c09cb8_2212131909_LRC-LMUN5235DW1T1G_C5273169.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5235DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer NPN-Bias-Widerstandstransistor (BRT), der zwei Transistoren und deren Bias-Netzwerk in einem SOT-363-Gehäuse vereint.