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LMUN5312DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5312DW1T1G product

LMUN5312DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dualer TransistorVor-vorgespanntSOT-363

Der LMUN5312DW1T1G ist ein dualer, vor-vorgespannter Transistor (BRT) mit integrierten 22k/22k-Widerstandsnetzwerken im SOT-363-Gehäuse.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltanwendungen
  • Digitale Logik-Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA
  • Anwendungen mit kundenspezifischen Bias-Verhältnissen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei gleichzeitigem Betrieb beider Transistoren

Wichtige Specs

R1 Widerstand
22 kΩ
R2 Widerstand
22 kΩ
VCEO
50 V
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungenSchaltanwendungen

Datenblatt

c07b676bc3f67171867054a17e58f25f_2201121730_LRC-LMUN5312DW1T1G_C2936684.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5312DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen Bias-Widerstandstransistor (BRT), der zwei Transistoren und deren Bias-Widerstandsnetzwerke in einem einzigen SOT-363-Gehäuse vereint.