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LMUN5313DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5313DW1T1G product

LMUN5313DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual BRTSOT-36347k/47k

Der LMUN5313DW1T1G ist ein dualer NPN/PNP-Bias-Widerstandstransistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse mit integrierten 47k/47k-Widerstandsnetzwerken.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltschaltungen
  • Digitale Schnittstellenanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen bei gleichzeitigem Betrieb beider Transistoren

Wichtige Specs

R1/R2
47k/47k
VCEO
50V
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5313DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein Dual-Transistor-Bauteil (ein NPN, ein PNP) mit integrierten Bias-Widerständen, das diskrete Komponenten in platzkritischen Schaltungen ersetzt.