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LMUN5314DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5314DW1T1G product

LMUN5314DW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual-TransistorPre-biasedSOT-363

Der LMUN5314DW1T1G ist ein dualer NPN/PNP-Transistor mit integrierten Basiswiderständen im SOT-363-Gehäuse, der diskrete Bauteile ersetzt.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltanwendungen
  • Signalkonditionierung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei gleichzeitiger Nutzung beider Transistoren

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1/R2
10k/47k

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenIndustriesteuerungen

Datenblatt

279495d349d314933de0da3b1e096c97.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5314DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales Transistor-Bauelement (ein NPN, ein PNP) mit integriertem Bias-Widerstandsnetzwerk in einem kompakten SOT-363-Gehäuse.