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LMUN5316DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5316DW1T1G product

LMUN5316DW1T1G

Digital Transistors

DigitaltransistorBRTDualtransistor

Der LMUN5316DW1T1G ist ein dualer NPN/PNP-Digitaltransistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse mit integrierten Bias-Widerständen zur Schaltungsvereinfachung.

Ideal für

  • Platzsparende Low-Power-Schaltungen
  • Digitale Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 256mW Verlustleistung
  • Anwendungen, die andere Widerstandsverhältnisse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie den R1-Widerstandswert (4,7kΩ) im Hinblick auf die Anforderungen Ihrer Schaltung.

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
4,7 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

af79c70f3dae54ab380ec6cb9fc4ff6b.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5316DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen Bias-Widerstandstransistor (BRT), der einen NPN- und einen PNP-Transistor mit jeweils integriertem monolithischem Bias-Widerstandsnetzwerk enthält.