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LMUN5335DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN5335DW1T1G product

LMUN5335DW1T1G

Transistors - BJT - Arrays

Dual BRTNPN/PNPSOT-363

Der LMUN5335DW1T1G ist ein dualer NPN/PNP-Bias-Widerstandstransistor (BRT) im SOT-363-Gehäuse, der diskrete Transistoren und externe Bias-Netzwerke ersetzt.

Ideal für

  • Platzsparende digitale Schaltungen
  • Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 250mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Basisstromanforderungen
  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

R1
2,2 kΩ
R2
47 kΩ
VCEO
50 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

b0250cab65cfa786163ea5a23f680d95.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN5335DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein monolithisches Dual-Transistor-Bauteil (ein NPN, ein PNP), das interne Bias-Widerstände (R1=2,2kΩ, R2=47kΩ) enthält, um digitale Schaltschaltungen zu vereinfachen.