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LND150N3-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LND150N3-G product

LND150N3-G

MOSFETs - Single

VerarmungstypHochspannungMOSFET

Der LND150N3-G ist ein 500V N-Kanal-Verarmungs-MOSFET im TO-92-Gehäuse, der für Anwendungen konzipiert ist, die im Normalzustand eingeschaltet sind.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Präzisions-Konstantstromquellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die standardmäßig ein 'Normally-off'-Verhalten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Source-Spannungsgrenzen und thermisches Management

Wichtige Specs

VDS
500 V
IDSS
1.0 mA
RDS(on)
1.0 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

Microchip-company-71.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LND150N3-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungs-DMOS-FET (normally-on) mit ESD-Gate-Schutz.