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LP2309LT1G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LP2309LT1G-HXY product

LP2309LT1G-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2360V

Der LP2309LT1G ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit -60V und -2A im SOT-23-Gehäuse, optimiert für kleine Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschalter
  • PWM-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 2A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-2 A
RDS(ON)
<200 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

9d15d697e3ec40e3341a3f2f8d9251e7_2209061730_HXY-MOSFET-LP2309LT1G-HXY_C5148654.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LP2309LT1G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für effiziente Schaltanwendungen und Lastschalter entwickelt wurde.