LP3218DT1G Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | LRC | PartGenie

KI-Zusammenfassung

LP3218DT1G product

Der LP3218DT1G ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für 12V-Anwendungen, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und kompakte Bauweise auszeichnet.

Ideal für

Batteriebetriebene Geräte
Lastschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit VGS > 8V
Systeme über 12V

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr
Gate-Treiber-Kompatibilität

Wichtige Specs

VDSS: 12 V
ID: 8.2 A
RDS(on): 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LP3218DT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET mit ESD-geschütztem Gate im platzsparenden 2.0x2.0x0.62 mm DFN-Gehäuse.