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LSIC1MO170E0750 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LSIC1MO170E0750 product

LSIC1MO170E0750

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1700VHochspannungLeistungstransistor

Der LSIC1MO170E0750 ist ein 1700V SiC-MOSFET für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
1700 V
RDS(on)
750 mOhm
ID
6.2 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

media

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LSIC1MO170E0750 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 1700V, 750mOhm N-Kanal Siliziumkarbid (SiC) MOSFET im TO-247-3L Gehäuse.