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LVS201610-4R7M-N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LVS201610-4R7M-N product

LVS201610-4R7M-N

Chokes

AbgeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der LVS201610-4R7M-N ist eine abgeschirmte 4,7µH-Leistungsinduktivität von Chilisin, die für kompakte DC-DC-Wandleranwendungen in der Unterhaltungselektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare DC-DC-Wandler
  • Unterhaltungselektronik (LCD-TV, Smartphones)

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 800mA
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen DCR erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 µH
Toleranz
±20%
RDC
0,67 Ω
Isat (Typ)
680 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

1912111437_Chilisin-Elec-LVS201610-4R7M-N_C373771.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LVS201610-4R7M-N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte Leistungsinduktivität mit einer Induktivität von 4,7µH und einer Toleranz von ±20%, hergestellt von Chilisin.