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LVS303015-4R7M-N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LVS303015-4R7M-N product

LVS303015-4R7M-N

Chokes

AbgeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der LVS303015-4R7M-N ist eine abgeschirmte 4,7µH-Leistungsinduktivität von Chilisin, die für DC-DC-Wandler in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare DC-DC-Wandler
  • LCD-Fernseher und Monitore
  • Smartphones

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine höhere Strombelastbarkeit als 900mA Sättigungsstrom erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Betriebstemperaturbereich
  • Spitzenstromgrenzen

Wichtige Specs

Induktivität
4,7 µH
Toleranz
±20%
Gleichstromwiderstand (RDC)
0,130 Ω
Sättigungsstrom (Isat)
900 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

2304140030_Chilisin-Elec-LVS303015-4R7M-N_C280523.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LVS303015-4R7M-N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte Leistungsinduktivität mit einer Induktivität von 4,7µH und einer Toleranz von ±20%, untergebracht in einem kompakten 3030-SMD-Gehäuse.