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MCG30P03-TP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MCG30P03-TP product

MCG30P03-TP

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal30V

Der MCG30P03-TP ist ein P-Kanal-Trench-MOSFET für leistungsstarke Anwendungen, der -30V Vds und 30A Id in einem kompakten DFN3333-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-30 A
RDS(on)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

fa4bc6e8e2aae88a1803f7fe2860fa77_2404191718_MCC-Micro-Commercial-Components-MCG30P03-TP_C6666543.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MCG30P03-TP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Power-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und hohe Zelldichte optimiert ist.