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MCH3376-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MCH3376-HXY product

MCH3376-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-323

Der MCH3376 ist ein P-Kanal-MOSFET (-20V, -1.8A) im SOT-323-Gehäuse, der sich für kompakte Lastschalt- und Batterieschutzanwendungen eignet.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Umgebungen mit hoher Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJA = 431°C/W)

Wichtige Specs

VDS
-20V
ID
-1.8A
RDS(on)
150mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

cc66e889ea65fe6d73aaf343c29271f0_2403261736_HXY-MOSFET-MCH3376-HXY_C22366691.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MCH3376-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand.