ProjektePreiseInsights

MDT20P04D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MDT20P04D product

MDT20P04D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTO-252Leistung

Der MDT20P04D ist ein -40V, -20A P-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für Leistungsschalt- und Hochfrequenzanwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-20 A
RDS(ON)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

722c82053c4ffc626919abae98bbd0a2_2312012001_Minos-MDT20P04D_C19272219.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MDT20P04D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.