MDT2N60 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Shenzhen Minos Technology Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

MDT2N60 product

Der MDT2N60 ist ein 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für allgemeine Schaltanwendungen mit einem Nennstrom von 2A und einem Einschaltwiderstand von 4,4Ω.

Ideal für

Schaltnetzteile
USV-Systeme
Solar-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die deutlich mehr als 2A Strom erfordern
Designs, bei denen ein extrem niedriger RDS(ON) entscheidend ist

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung
Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDSS: 600 V
ID: 2 A
RDS(ON): 4,4 Ω
Gehäuse: TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrieelektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MDT2N60 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MDT2N60 ist ein 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Shenzhen Minos Technology, der für effizientes Schalten mit hoher Robustheit entwickelt wurde.