MDT40N10D Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Shenzhen Minos Technology Co., Ltd. | PartGenie

KI-Zusammenfassung

MDT40N10D product

Der MDT40N10D ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für Schaltanwendungen und Hochfrequenzschaltungen im TO-252-Gehäuse.

Ideal für

Leistungsschaltung
USV
Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladung oder extrem hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 33 A
RDS(on): 22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

2fe2d50c69a10514c7a3cd893c736139_2402231754_Minos-MDT40N10D_C20624227.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MDT40N10D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Minos, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.