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MDT4N65 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MDT4N65 product

MDT4N65

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistungstransistor

Der MDT4N65 ist ein 650V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Elektronische Lampenvorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(ON) oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
650 V
ID
4 A
RDS(ON)
2,5 Ω
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

17a9366c0767ef51a20313b24e6483fc_2310241627_Minos-MDT4N65_C5121600.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MDT4N65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MDT4N65 ist ein Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit fortschrittlicher planarer Stripe-DMOS-Technologie hergestellt wird und auf niedrigen Einschaltwiderstand sowie hohe Lawinenfestigkeit optimiert ist.