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MDT60N06D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MDT60N06D product

MDT60N06D

MOSFETs - Single

N-KanalLeistungs-MOSFET60VTO-252

Der MDT60N06D ist ein 60V, 60A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und USV-Systeme.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV-Systeme
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung unter 31nC erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
60 A
RDS(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

bf454ffcaac52436a7dd6553fa06fde3_2310241628_Minos-MDT60N06D_C5890264.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MDT60N06D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen RDS(on) und effizientes Schaltverhalten zu erreichen.