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ME15N10-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ME15N10-G product

ME15N10-G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V

Der ME15N10-G ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 100V, der für effizientes Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandlung
  • Batteriebetriebene Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb typischer Wandlerbereiche

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf FR4-Platinen

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
14,7 A
RDS(ON)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandler

Datenblatt

30fd46e034e0cf74e84fc4db48ace6cf_1809081612_MATSUKI-ME15N10-G_C147781.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ME15N10-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Enhancement-Modus, der DMOS-Trench-Technologie für einen niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.