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ME15N25-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ME15N25-G product

ME15N25-G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal250VLeistung

Der ME15N25-G ist ein 250V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-3L-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand mittels Trench-Technologie optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Lastschaltanwendungen
  • Display-Inverter-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 2V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
250 V
ID
17,1 A
RDS(ON)
265 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

b2e1f3f2e67fd7dbcbac255610bbfe1c_2207080130_MATSUKI-ME15N25-G_C3647146.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ME15N25-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Matsuki, der DMOS-Trench-Technologie für hohe Zelldichte und niedrigen Einschaltwiderstand verwendet.