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ME2309-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ME2309-G product

ME2309-G

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2360V

Der ME2309-G ist ein 60V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der sich ideal für High-Side-Schaltungen und das Energiemanagement in tragbaren Geräten eignet.

Ideal für

  • Notebook-Energiemanagement
  • Tragbare Geräte
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme über -1,9A erfordern
  • Umgebungen mit Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-1,9 A
RDS(ON)
215 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementTragbare Geräte

Datenblatt

7c8b09451c5bddae30e4228fc38b5583_2007241236_MATSUKI-ME2309-G_C709748.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ME2309-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der ME2309-G ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus von Matsuki, der für Anwendungen im Bereich des Energiemanagements bei niedrigen Spannungen entwickelt wurde.