ProjektePreiseInsights

ME50N06A-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ME50N06A-G product

ME50N06A-G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VEnergiemanagement

Der ME50N06A-G ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im TO-252-3L-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Energiemanagement-Schaltungen
  • LCD-TV-Inverter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladungen erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb typischer MOSFET-Bereiche

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
60 V
ID
35,1 A
RDS(on)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandler

Datenblatt

4f9f3246254db293db67d8043a2f57c8_2103051837_MATSUKI-ME50N06A-G_C2693566.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ME50N06A-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf DMOS-Graben-Technologie basiert und für niedrigen Einschaltwiderstand optimiert wurde.