ProjektePreiseInsights

ME80N75T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ME80N75T product

ME80N75T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal75VTO-220

Der ME80N75T ist ein 75V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand mittels Trench-Technologie optimiert ist.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • DC/DC-Wandler
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vdss
75 V
Id
93 A
RDS(on)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandler

Datenblatt

a728ac3730a5b634cbde2e3633bdf1ba_2007241237_MATSUKI-ME80N75T_C709755.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ME80N75T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.