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MEE7816S-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MEE7816S-G product

MEE7816S-G

MOSFETs - Single

N-Kanal100VMOSFETDFN3x3

Der MEE7816S-G ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN(S) 3x3-Gehäuse, optimiert für mittlere Spannungsbereiche in Stromversorgungs- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Stromversorgungsmanagement
  • Synchrongleichrichtung
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 100V oder deutlich höhere Stromstärken erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Kupferfläche zur Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
10,2 A
RDS(ON)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungsmanagementLastschalter

Datenblatt

09bd674d0d943d7aa73fa233a6a40f75_2207061845_MATSUKI-MEE7816S-G_C3647158.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MEE7816S-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Matsuki, der die Extended Trench Gate (ETG)-Technologie für hohe Effizienz in Anwendungen mit mittlerer Spannung nutzt.