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MEM2310M3G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MEM2310M3G product

MEM2310M3G

Discrete Semiconductor Products

N-KanalMOSFET30VSOT23-3L

Der MEM2310M3G ist ein 30V N-Kanal-MOSFET, der für effiziente Schaltanwendungen in einem kompakten SOT23-3L-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
30 V
ID
5.8 A
RDS(ON)
25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

16c294a4a707d6f281205e505a8bd317.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MEM2310M3G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.