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MGC038N10N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MGC038N10N product

MGC038N10N

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTrench

Der MGC038N10N ist ein 100V, 100A N-Kanal-Trench-MOSFET im PDFN 5x6-Gehäuse, optimiert für hocheffizientes Schalten und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Motortreiber
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Durchsteckmontage erfordern
  • Platzkritische Anwendungen, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Leistungsfähigkeit der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
100 A
RDS(on)
3,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotortreiberBMS

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MGC038N10N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Hochstrom- und Hochfrequenz-Leistungsanwendungen entwickelt wurde.