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MGFL2012F1R0MT-LF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MGFL2012F1R0MT-LF product

MGFL2012F1R0MT-LF

Chokes

InduktorFerritSMD0805

Der MGFL2012F1R0MT-LF ist ein 1,0 µH Mehrschicht-Ferrit-Chip-Induktor im 2012 (0805) Gehäuse, optimiert für Hochstromanwendungen in mobilen Geräten.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Mobiltelefone
  • Tragbare AV-Geräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Induktivitätswerte oder sehr niedrige Gleichstromwiderstände außerhalb des spezifizierten Bereichs erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hochdichten Layouts.

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Nennstrom
1400 mA
Gleichstromwiderstand
0,15 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

9f00be6de0f97b80a5152d5f78d95c1f_1811141846_microgate-MGFL2012F1R0MT-LF_C281114.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MGFL2012F1R0MT-LF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Mehrschicht-Ferrit-Chip-Induktor von Microgate mit einer Induktivität von 1,0 µH im metrischen 2012 (0805) Gehäuse.