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MGSF1N02LT1-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MGSF1N02LT1-HXY product

MGSF1N02LT1-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2320V

Der MGSF1N02LT1 ist ein 20V, 2,3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen wie Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochleistungsdesigns mit hohem Wärmebedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
2,3 A
RDS(ON)
< 60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

7a41ce52fecd7936be3bc98d4744bbf3_2403261742_HXY-MOSFET-MGSF1N02LT1-HXY_C22367245.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MGSF1N02LT1-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Niederspannungsschaltungen, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.