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MI2012-301-3A-LF-A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MI2012-301-3A-LF-A product

MI2012-301-3A-LF-A

Chokes

AEC-Q200HochstromChip-Bead2012 Gehäuse

Der MI2012-301-3A-LF-A ist ein robuster 300Ω Hochstrom-Chip-Bead zur Rauschunterdrückung in Signalleitungen, der für Automobilanwendungen nach AEC-Q200 qualifiziert ist.

Ideal für

  • Automobil-Signalleitungen
  • Industrielle Rauschunterdrückung
  • Hochstrom-Leistungsfilterung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen DCR unter 0,050Ω erfordern
  • Hochfrequenzsignale, bei denen 300Ω Impedanz nicht optimal sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Spitzenstromanforderungen
  • Impedanzprofil bei der Zielfrequenz

Wichtige Specs

Impedanz
300Ω @ 100MHz
Max. Strom
3.0A
Max. DCR
0.050Ω
Gehäuse
2012 (0805)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrieAllgemeine Signalleitungen

Datenblatt

f5b078dd5d710a68925c53de7c42c931_MI2012-LF-A.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MI2012-301-3A-LF-A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen mehrschichtigen Chip-Bead für die Rauschunterdrückung in Hochstrom-Signalleitungen im 2012 (0805) Gehäuse.