ProjektePreiseInsights

MIP20122R2MBE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MIP20122R2MBE product

MIP20122R2MBE

Chokes

LeistungsinduktorMehrschicht2012 Gehäuse

Der INPAQ MIP20122R2MBE ist ein 2,2µH Mehrschicht-Leistungsinduktor im 2012 (0805) Gehäuse, der für allgemeine Stromversorgungsanwendungen geeignet ist.

Ideal für

  • Allgemeine Stromversorgungsfilterung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die deutlich mehr als 900mA Strom erfordern
  • Hochpräzise HF-Schaltungen, bei denen eine Toleranz von 20% zu ungenau ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Werte bei hohen Umgebungstemperaturen

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Nennstrom
900 mA
Gleichstromwiderstand (DCR)
0,17 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MIP20122R2MBE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Mehrschicht-Leistungsinduktor von INPAQ mit einer Nenninduktivität von 2,2µH und einer Toleranz von ±20%.