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MJB45H11T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJB45H11T4G product

MJB45H11T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPLeistungstransistorD2PAKAEC-Q101

Der MJB45H11T4G ist ein leistungsstarker PNP-Leistungstransistor, der für anspruchsvolle Schalt- und Verstärkeranwendungen in Automobil- und Industriesystemen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltregler
  • Leistungsverstärker
  • Automobil-Treiberstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem geringe Verlustleistung oder sehr kleine Bauformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen und SOA-Grenzwerte.

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
80 V
IC
10 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobil

Datenblatt

MJB44H11-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJB45H11T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären PNP-Leistungstransistor für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit einer Strombelastbarkeit von 10 A und einer Durchbruchspannung von 80 V.