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MJD112 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD112 product

MJD112

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistorTO-252

Der MJD112 ist ein 100V, 2A NPN-Darlington-Leistungstransistor im TO-252-2L SMD-Gehäuse, ideal für Anwendungen mit hoher Verstärkung.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Sättigungsspannung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
2 A
hFE
1000 - 12000
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungAllgemein

Datenblatt

c7bdd832d04215589d9720e09225b4dd_1809140415_Jiangsu-Changjing-Electronics-Technology-Co---Ltd--MJD112_C69605.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD112 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD112 ist ein komplementärer Darlington-NPN-Leistungstransistor für die Oberflächenmontage im TO-252-2L (Dpak) Gehäuse.