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MJD112T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD112T4G product

MJD112T4G

Bipolar (BJT)

NPNDarlingtonLeistungstransistorTO-251IPAK100 V2 A

Der MJD112T4G ist ein NPN-Leistungs-Darlingtontransistor für lineare Anwendungen und Schaltaufgaben. Angegeben sind 100 V Kollektor-Emitter-Spannung und 2 A Dauer-Kollektorstrom.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltungen mit Transistorschaltung
  • Lineare Schaltungen mit hohem Darlington-Stromverstärkungsfaktor

Vermeiden, wenn

  • Eine Sättigungsspannung unterhalb des angegebenen Maximums von 1,5 V erforderlich ist
  • Keine ausreichende Wärmeabfuhr möglich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Übereinstimmung von Bestellcode und Datenblatt
  • Pinbelegung B-C-E
  • Basisstrom und thermischer Betriebspunkt

Wichtige Specs

Polarität
NPN-Darlington
VCEO
100 V
Kollektorstrom
2 A Dauerstrom; 4 A Spitzenstrom
Gehäuse
TO-251 / IPAK

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine lineare SchaltungenAllgemeine Schaltanwendungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD112T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD112T4G wird anhand der vorhandenen Komponentendaten als monolithischer NPN-Leistungs-Darlingtontransistor im dreipoligen TO-251/IPAK-Gehäuse geführt.