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MJD112T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD112T4G product

MJD112T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistor

Der MJD112T4G ist ein 100V, 2A NPN-Darlington-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, geeignet für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Schaltregler
  • Wandler
  • Leistungsverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen mit geringer Kapazität

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
2 A
PD
20 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD112T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Darlington-Leistungstransistor für allgemeine Leistungs- und Schaltanwendungen.