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MJD117G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD117G product

MJD117G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPDarlingtonLeistungstransistorDPAK

Der MJD117G ist ein 100V, 2A PNP-Darlington-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Schaltregler
  • Konverter
  • Leistungsverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen, die schnelle Schaltzeiten erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • SOA-Grenzwerte für Impulsbedingungen

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
100 V
IC
2 A
Gehäuse
DPAK

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD117G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD117G ist ein PNP-Darlington-Leistungstransistor von onsemi, der für allgemeine Stromversorgungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.