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MJD122D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD122D product

MJD122D

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistorTO-252

Der MJD122D ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor im TO-252 (DPAK) Gehäuse, der für allgemeine Verstärkeranwendungen und langsame Schaltvorgänge optimiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkerschaltungen
  • Langsame Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Widerstände und Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC (Dauer)
8 A
hFE
1000 - 12000
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Anwendungen

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD122D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD122D ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor, der für Anwendungen mit hoher Verstärkung entwickelt wurde. Er bietet eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 100V und einen Dauerstrom von 8A.