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MJD122G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD122G product

MJD122G

Component

NPNDarlingtonLeistungstransistorDPAK

Der MJD122G ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, ausgelegt für 100V und 8A, ideal für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkeranwendungen
  • Langsame Schaltvorgänge

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • PCB-Footprint

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC (Dauerstrom)
8 A
hFE (Typ)
2500

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

ae7808bce38b718dfd6f15f971859b67_2304140030_onsemi-MJD122G_C89910.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD122G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der MJD122G ist ein monolithischer NPN-Darlington-Leistungstransistor für die Oberflächenmontage, der sich durch eine hohe Stromverstärkung und integrierte Basis-Emitter-Widerstände auszeichnet.