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MJD122T4 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD122T4 product

MJD122T4

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistorDPAK

Der MJD122T4 ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor im DPAK-Gehäuse, der für Anwendungen mit hoher Verstärkung optimiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine lineare Schaltungen
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • RoHS-konforme Neuentwicklungen
  • Langzeitverfügbarkeit erforderlich

Vor der Verwendung prüfen

  • Lagerverfügbarkeit
  • Regulatorische Anforderungen

Wichtige Specs

Typ
NPN Darlington
VCEO
100 V
IC
8 A
Gehäuse
DPAK

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD122T4 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein monolithischer NPN-Darlington-Leistungstransistor mit hoher Verstärkung und integrierter antiparalleler Diode.