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MJD122T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD122T4G product

MJD122T4G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonLeistungstransistorDPAK

Der MJD122T4G ist ein NPN-Darlington-Leistungstransistor mit hoher Verstärkung im DPAK-Gehäuse, ideal für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkeranwendungen
  • Langsame Schaltvorgänge

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Polarität
NPN
VCEO
100 V
IC
8 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeine Industrie

Datenblatt

MJD122-D.PDF

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD122T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Darlington-Leistungstransistor für die Oberflächenmontage, der sich durch eine hohe Gleichstromverstärkung und integrierte Basis-Emitter-Shunt-Widerstände auszeichnet.