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MJD127T4G-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

MJD127T4G-HXY product

MJD127T4G-HXY

Transistors - Bipolar (BJT) - Single Pre-Biased

PNPDarlingtonDPAK100V

Der MJD127T4G ist ein PNP-Darlington-Transistor für leistungsstarke Schalt- und Verstärkeranwendungen mit -100V und -8A im DPAK-Gehäuse.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedriger Sättigungsspannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VCEO
-100 V
IC
-8 A
hFE
1000 - 12000

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungAllgemein

Datenblatt

4a504cc780621c9fcd28d35d138ab31a_2401261512_HXY-MOSFET-MJD127T4G-HXY_C20611968.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für MJD127T4G-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Darlington-Transistor mit integrierter Freilaufdiode, elektrisch ähnlich dem TIP127, für Anwendungen mit hoher Stromverstärkung.