Der MJD127T4G ist als PNP-Leistungs-Darlingtontransistor von CMOS gelistet. Das verfügbare Datenblatt beschreibt den PNP-Typ MJD127G im TO-252/DPAK-Gehäuse mit monolithischer Darlington-Struktur und integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode.
MJD127T4G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Polarität
- PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 100 V
- Kollektorstrom
- 8 A
- Gehäuse
- TO-252 (DPAK), 3 Pins
- Verlustleistung
- 20 W bei TC = 25 °C
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Allgemeine SchaltanwendungenLineare Schaltstufen
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für MJD127T4G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
